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碳化硅單晶微管道缺陷研究-道客巴巴閱讀文檔頁-積分-上傳時間:年月日天津大學碩士學位論文碳化硅單晶微管道缺陷研究姓名:章安輝申請學位級別:碩士專業(yè):電子與通信工程指導教師:趙毅強;何秀坤摘要SiC晶體被稱為第三代寬禁帶半導。
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